Датчики и системы, № 4, 2016

Sensors and Systems, N 4, 2016

 

С О Д Е Р Ж А Н И Е  и  А Н Н О Т А Ц И И

C O N T E N T S  AND  A B S T R A C T S

 

 

ПРЕДСТАВЛЯЕТ КАФЕДРА МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ НИЯУ МИФИ

 

DEPARTMENT OF MICRO- AND NANOELECTRONICS OF MEPHI PRESENTS

 

 

 

Бочаров Ю. И., Бутузов В. А., Симаков А. Б.

КОМПЛЕКТ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ДЛЯ СБОРА ДАННЫХ С МАТРИЦ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ … 4

Аннотация: Представлен комплект микросхем для съема, предварительной аналоговой обработки и аналого-цифрового преобразования сигналов кремниевых фотоэлектронных умножителей, содержащий две специализированные интегральные микросхемы, изготовленные по КМОП-технологии с проектной нормой 0,35 мкм. Обе микросхемы программируются через последовательный интерфейс. Число каналов аналогового головного модуля и типы входных каскадов зависят от назначения микросхемы. Тестовая версия микросхемы имеет по три канала с токовым входом и с входом по напряжению. Аналого-цифровая микросхема имеет 9 основных каналов, содержащих по одному аналого-цифровому преобразователю в каждом канале, и один вспомогательный канал. Микросхема отличается низкой потребляемой мощностью, которая не превосходит 0,5 мВт на канал при частоте выборки 100 кГц.

Ключевые слова: кремниевый фотоэлектронный умножитель, специализированная интегральная микросхема, КМОП-технология, аналоговый головной модуль, аналого-цифровой преобразователь.

 

Bocharov Yu. I., Butuzov V. A., Simakov A. B.

A CHIPSET FOR READOUT AND ANALOG TO DIGITAL CONVERSION OF SIGNALS OF SILICON PHOTOMULTIPLIER ARRAYS … 4

Abstract: A chipset is presented, which is intended for readout, analog preprocessing and analog to digital conversion of silicon photomultiplier arrays' signals. It includes two special purpose integrated circuits implemented in 0.35 mm CMOS technology. The number of channels of the analog front-end chip as well as the types of their input stages depends on the application. The test version of the chip contains 3 current-input channels and 3 voltage-input channels. Each of the channels includes a programmable pre-amplifier, integrator with baseline-holder, code-controlled amplifier, amplitude discriminator, two programmable timers, low pass filter, peak detector, and output buffer with baseline tuning circuitry. The mixed-signal chip has 9 main channels and one auxiliary channel, containing 10-bit analog-to-digital converter (ADC) in each channel. It has also a buffer memory and a voltage reference. The chip features low power consumption (less than 0.5 mW per channel at the sampling frequency of 100 kHz). Both devices use a serial interface for programming their configuration and parameters.

Keywords: silicon photomultiplier, special purpose integrated circuit, CMOS technology, analog front-end, analog-to-digital converter.

 

 

Симаков А. Б., Онищенко Е. М., Журавлев Б. В., Водохлебов И. Н., Гурковский Б. В., Трифонова Н. Ю.

АППАРАТНО-ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ИНДИВИДУАЛЬНОГО ВЛИЯНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ НА КАРДИОРИТМИКУ ЧЕЛОВЕКА … 9

Аннотация: Предложена методика экспериментальной оценки индивидуального влияния СВЧ-излучения GSM-диапазона на вариабельность сердечного ритма человека. Приведены структурная схема исследовательского аппаратно-программного комплекса, основные характеристики и конструктивные особенности его отдельных узлов, а также результаты физиологических исследований.

Ключевые слова: электромагнитные поля, СВЧ-дозиметрия, сердечнососудистая система, вариабельность кардиоритма, удельный коэффициент поглощения.

 

Simakov A. B., Onishhenko E. M., Zhuravlev B. V., Vodokhlebov I. N., Gurkovskiy B. V., Trifonova N. Yu.

HARD-SOFTWARE COMPLEX FOR RESEARCH OF MICROWAVE INDIVIDUAL AFFECT ON HUMAN HEART RATE VARIABILITY … 9

Abstract: The method of experimental evaluation of the GSM microwave individual affect on human heart rate variability was suggested. The block-diagram of research instrumental complex, the main characteristics, design features of its separate units and results of physiological experiments were presented.

Keywords: electromagnetic fields, microwave dosimetry, cardiovascular system, heart rate variability, specific absorption rate.

 

 

Шунков В. Е., Кусь О. Н., Прокопьев В. Ю., Бутузов В. А., Бочаров Ю. И., Шунков В. Е.

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ МНОГОФАЗНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫХ КОНДЕНСАТОРАХ … 15

Аннотация: Рассмотрено проектирование интегральной микросхемы многофазного преобразователя постоянного напряжения на переключаемых конденсаторах. Приведен анализ методов регулирования выходного напряжения в многофазной импульсной схеме, направленных на снижение выходного шума в широком диапазоне напряжений и токов. Представлены результаты экспериментального исследования тестовых образцов преобразователя.

Ключевые слова: интегральная микросхема, ИМС, преобразователь постоянного напряжения, схема на переключаемых конденсаторах, КМОП-технология.

 

Shunkov V. E., Kus O. N., Prokop'ev V. Yu., Butuzov V. A., Bocharov Yu. I., Shunkov V. E.

SWITCH CAPACITOR BASED MULTIPHASE DC/DC CONVERTER … 15

Abstract: The design of integrated circuit (IC) of multiphase switched-capacitor DC/DC converter is presented. We provide the results of analysis of the output voltage control techniques in a multiphase pulsed circuit, which is aimed at a reducing of the output noise over a wide range of voltages and currents. Experimental results on test samples evaluation are also presented.

Keywords: integrated circuit, IC, DC/DC converter, switched capacitor circuit, CMOS technology.

 

 

Шагурин И. И., Жихарев Г. Ю.

ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЕ КРИПТОБЛОКИ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В СОСТАВЕ "СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ" … 21

Аннотация: Рассмотрены возможности повышения производительности криптоблоков, выполняющих алгоритмы хеширования. Показано, что применение предлагаемой макроконвейерной архитектуры позволяет обеспечить для этих криптоблоков пропускную способность 10¼100 Гбит/c при допустимом уровне требуемых аппаратных ресурсов.

Ключевые слова: криптоалгоритм, криптоблок, хеш-функция, исполнительный конвейер, макроконвейерная архитектура, пропускная способность.

 

Shagurin I. I., Zhiharev G. Yu.

HIGH-PERFORMANCE CRYPTOBLOCKS FOR USING IN “SYSTEMS ON CHIP” … 21

Abstract: The possibilities of the increasing of hash-computing cryptoblocks performance are discussed. It is shown that using of proposed macro-pipelined architecture allows the cryptoblocks to ensure the throughput 10…100 Gbit/s with acceptable level of required hardware resources.

Keywords: cryptoalgorithm, cryptoblock, hash function, executing pipeline, macro-pipelined architecture, throughput.

 

 

Веселов Д. С., Воронов Ю. А.

ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЭМС-СТРУКТУР26

Аннотация: Проведено исследование процессов глубокого анизотропного травления кремния в различных растворах органических щелочей. Предложена альтернатива формированию толстых маскирующих слоев для сохранения ориентированности жидкостного травления. Выработаны рекомендации по применению растворов для получения требуемого рельефа в кремниевых подложках в процессе изготовления МЭМС-структур. Представлены технологические решения, направленные на стабилизацию концентрации растворов травителей и их температуры в процессе длительного анизотропного травления кремния.

Ключевые слова: МЭМС-структуры, анизотропное травление кремния, органические щелочи, стабилизация концентрации и температуры травителей.

 

Veselov D. S., Voronov Yu. A.

FEATURES OF SILICON WET ETCHING FOR MEMS STRUCTURES MANUFACTURING TECHNOLOGY … 26

Abstract: The study of deep anisotropic silicon etching in a variety of solutions of organic alkalis is done. It offers an alternative form of thick masking layers to preserve orientation wet etching. Recommendations are presented on the use of solutions to obtain the desired relief in the silicon substrates during the manufacture of MEMS structures. Technological solutions, aimed stabilizing etchant concentration and temperature of solution during prolonged anisotropic etching of silicon are presented.

Keywords: MEMS structures, anisotropic etching of silicon, organic alkali, stabilization of concentration and etchant temperature.

 

 

Веселов Д. С., Воронов Ю. А.

ТЕПЛОИЗОЛИРУЮЩИЕ СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МЕМБРАННЫХ КОНСТРУКЦИЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗОВ29

Аннотация: Проведено изучение теплоизолирующих свойств диэлектрических мембранных конструкций для чувствительных элементов датчиков концентрации газа. Получены двумерные модели распределения температуры на мембранах из различных диэлектрических материалов. Проведена оценка полученных результатов и выработаны рекомендации по выбору материала теплоизолирующих мембранных конструкций для чувствительных элементов датчиков концентрации газа.

Ключевые слова: диэлектрическая пленка, диэлектрическая мембрана, чувствительный элемент, чувствительный слой, датчик концентрации газа.

 

Veselov D. S., Voronov Yu. A.

HEAT-INSULATING PROPERTIES OF DIELECTRIC MEMBRANE STRUCTURES FOR GAS SENSORS SENSITIVE ELEMENTS … 29

Abstract: The heat-insulating properties of dielectric membranes for gas sensors sensitive elements were studied. Two-dimensional temperature distributions on membranes from different dielectric materials in different moments of the cycle of heating and cooling were obtained. Was carried out the estimation of study results and the recommendations on the choosing of heat-insulating material was gave.

Keywords: dielectric film, dielectric membrane, sensitive element, sensitive layer, gas sensor.

 

 

Самотаев Н. Н.

МИКРОМОЩНЫЕ НАГРЕВАТЕЛИ ДЛЯ ТЕРМОКОНДУКТОМЕТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ … 33

Аннотация: Представлена новая гибкая технология изготовления микронагревателей для датчиков теплопроводности газовых сред.

Ключевые слова: нагревательный элемент, селективное лазерное спекание.

 

Samotaev N. N.

MICROHOTPLATE FOR THERMAL CONDUCTIVITY SENSOR … 33

Abstract: The new flexible technology for fabrication microhoteplates for gas thermal conductivity sensors are presented.

Keywords: microhotplate, selective laser sintering.

 

 

Самотаев Н. Н., Облов К. Ю., Иванова А. В., Васильев А. А., Соколов А. В., Ким В. П., Ткачев С. В., Губин С. П., Потапов Г. Н., Кохтина Ю. В., Низан А. В.

ЭКОНОМИЧНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ НА КЕРАМИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ДЛЯ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ … 36

Аннотация: Представлен подход, при котором объединяются преимущества керамической МЭМС-технологии и преимущества недорогих технологий для изготовления элементов газочувствительных датчиков. Разработаны проводящие наночастицы серебра, золота и платины размером от 10 до 30 нм, применяемые в струйных и аэрозольных принтерах и позволяющие изготовить проводящие линии нагревательных элементов и электродов датчика. Комбинация струйной печати на керамическую пленку и лазерной резки позволяют изготовить недорогие датчики, работающие в режиме импульсного нагрева.

Ключевые слова: МЭМС-технология, газочувствительные датчики, проводящие наночастицы, струйная печать, аэрозольная печать.

 

Samotaev N. N., Oblov K. Yu., Ivanova A. V., Vasiliev A. A., Sokolov A. V., Kim V. P., Tkachev S. V., Gubin S. P., Potapov G. N., Kokhtina Yu. V., Nisan A. V.

EFFICIENT TECHNOLOGY FOR THE METAL LAYERS FORMATION ON CERAMIC FILMS FOR GAS-SENSING SENSORS … 36

Abstract: In this paper we suggest the approach that combines the advantages of ceramic MEMS technology and the advantages of low-cost technologies for the manufacture of gas-sensitive sensor elements. Conductive silver, gold and platinum nanoparticles containing inks with particle size from 10 to 30 nm were developed and used in inkjet and aerosol printers, and enable to produce conducting lines of the heating elements and the sensor electrodes. The combination of inkjet printing on a ceramic film and laser cutting allow making inexpensive sensors operating in the pulsed heating mode.

Keywords: MEMS, gas sensors, conducting nanoparticles, inkjet printing, aerosol jet printing.

 

 

Шалтаева Ю. Р., Макарова Н. В., Першенков В. С., Беляков В. В., Головин А. В., Липатов Д. Ю.

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ОХРАННОГО ВОЗДУШНОГО ПОТОКА В СПЕКТРОМЕТРЕ ИОННОЙ ПОДВИЖНОСТИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ КАЧЕСТВА ИЗМЕРЕНИЙ … 40

Аннотация: Рассмотрена проблема адсорбции молекул газовой пробы на поверхностях ионного источника и дрейфовой камеры в детекторе сверхмалых концентраций взрывчатых и наркотических веществ. Предложено использовать охранный воздушный поток, предотвращающий соприкосновение исследуемого вещества со стенками камеры. Приведены результаты моделирования газовых потоков и экспериментальной апробации системы для формирования охранного потока газов.

Ключевые слова: спектрометрия ионной подвижности, камера ионного источника, моделирование газовых потоков, охранный воздушный поток, датчики.

 

Shaltaeva Yu. R., Makarova N. V., Pershenkov V. S., Belyakov V. V., Golovin A. V., Lipatov D. Y.

THE PROTECTIVE GAS FLOW FOR MEASUREMENTS IMPROVEMENT IN ION MOBILITY SPECTROMETRY … 40

Abstract: The investigation deals with sample adsorption on the walls of the ion drift chamber and the chamber of the ion source in ion mobility spectrometer. The solution for preventing contact of the substance with the chamber walls by security airflow is also recommended. The study includes gas flow simulation and experiments of protective gas flow setup.

Keywords: ion mobility spectrometry, ion source chamber, modeling of gas flows, protection of airflow, sensors.

 

 

Липатов Д. Ю., Родионов А. А., Шалтаева Ю. Р., Беляков В. В., Головин А. В., Малкин Е. К., Васильев В. К., Иванов И. А.

СОРБЦИОННЫЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ ВХОДНОГО КАНАЛА СПЕКТРОМЕТРА ИОННОЙ ПОДВИЖНОСТИ … 45

Аннотация: В аналитическом высокочувствительном оборудовании существует проблема эффективного переноса пробы без потери части анализируемого вещества. Эта проблема актуальна при обнаружении малых концентраций взрывчатых и наркотических веществ методом спектрометрии ионной подвижности. Потери пробы при адсорбции на поверхности газовых каналов и диффузии через стенки проницаемых газовых каналов при пороге чувствительности порядка 10–14 г/см3 сравнимы с размером самой пробы. В данной работе исследуется сорбция тринитротолуола в различных материалах трубок.

Ключевые слова: спектрометрия ионной подвижности, адсорбция на поверхности, газовый входной канал, материалы, тефлон, кварцевое стекло, силанизация стекла, загрязнение, моделирование.

 

Lipatov D. Yu., Rodionov A. A., Shaltaeva Yu. R., Belyakov V. V., Golovin A. V., Malkin E. K., Vasilyev V. K., Ivanov I. A.

THE INLET CHANNEL MATERIALSSORBTION PROPERTIES IN ION MOBILITY SPECTROMETRY … 45

Abstract: The effective transfer of sample is a problem relevant to modern analytical equipment. This problem in detection of explosives and narcotics trace concentrations by Ion Mobility Spectrometry is discussed. The sample losses on inlet channel surface and diffusion through penetrable gas channels are comparable with the quantity of sample itself at the sensitivity level of 10–14 g/cm3. The trinitrotoluene sorption in different channel materials is studied.

Keywords: ion mobility spectrometry adsorption on the surface, gas inlet channel, teflon, quartz glass, glass silanization, contamination, the modeling.

 

 

Шуренков В. В.

ДЕЙСТВИЕ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ … 50

Аннотация: Проанализированы эффекты воздействия СВЧ-излучения на полупроводниковые диоды, которые являются элементами электронных приборов и микросистем. Обсуждается механизм воздействия СВЧ-излучения на рекомбинацию носителей тока в слое объемного заряда p-n-переходов.

Ключевые слова: электромагнитное СВЧ-излучение, рекомбинация, p-n-переход.

 

Shurenkov V. V.

MICROWAVE ELECTROMAGNETIC RADIATION EFFECTS ON SEMICONDUCTOR DIODES … 50

Abstract: The high frequency electromagnetic radiation effects on semiconductor devices and the recombination processes in semiconductor p-n junction under HF radiation are discussed.

Keywords: electromagnetic radiation effects, recombination of charge carriages, p-n junction.

 

 

Барбашов В. М., Подлепецкий Б. И., Трушкин Н. С.

МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ НАДЕЖНОСТИ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ НА ФУНКЦИОНАЛЬНО-ЛОГИЧЕСКОМ УРОВНЕ … 54

Аннотация: Рассмотрены методы функционально-логического моделирования цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) при воздействии радиации. Показано, что как по функциональным, так и электрическим параметрам в ряде случаев характерны детерминированные и недетерминированные нарушения работоспособности ЦИМС.

Ключевые слова: критериальная функция принадлежности, автомат Брауэра, вероятностные модели.

 

Barbashov V. M., Podlepetsky B. I., Trushkin N. S.

RADIATION RELIABILITY ASSESSMENT OF DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS BY THE FUNCTIONAL-LOGIC LEVEL SIMULATION … 54

Abstract: The functional-logic modeling the reliability parameters of the digital integrated circuits (DLSI) under ionizing radiation are presented in this paper. In is shown that both functional and electric parameters there are deterministic and nondeterministic malfunction of DLSI circuits.

Keywords: criteria-based membership function, automatic Brauer, probabilistic models.

 

 

Елушов И. В., Зебрев Г. И., Лебедев А. А.

МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ БИПОЛЯРНЫХ ИМС С УЧЕТОМ ИЗМЕНЧИВОСТИ УСЛОВИЙ КОСМИЧЕСКОГО ОКРУЖЕНИЯ … 58

Аннотация: Рассмотрен метод прогнозирования радиационного поведения параметров биполярных интегральных схем как функционал от их радиационной, электрической и тепловой предистории на борту космических аппаратов в условиях изменчивого радиационного окружения на орбите.

Ключевые слова: мощность дозы, термический отжиг, солнечная активность, низкая интенсивность.

 

Elushov I. V., Zebrev G. I., Lebedev A. A.

BIPOLAR IC RADIATION RESPONSEMODELLING UNDER COSMIC ENVIRONMENT VARIABILITY … 58

Abstract: Modelling approach of space radiation variability impact on total dose sensitivity is presented. Radiation response dependence on convolution of the previous dose-rate, thermal and electric prehistory of the exposed spacecraft electronic part is shown.

Keywords: dose rate, thermal anneal, solar variability, ELDRS.

 

 

Орешков П. Н., Попов В. Д.

ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВЕРОЯТНОСТИ ОТКАЗА FLASH-ПАМЯТИ ПРИ НИЗКОИНТЕНСИВНОМ ОБЛУЧЕНИИ … 61

Аннотация: Приведен результат определения вероятности радиационно-стимулированного отказа flash-памяти микроконтроллера в условиях орбиты МКС. Выбрана модель, описывающая совместное воздействие ионизирующего излучения, электрического режима и температуры.

Ключевые слова: flash-память, ионизирующее излучение, электрический режим, температура.

 

Oreshkov P. N., Popov V. D.

FORECASTING OF PROBABILITY OF REFUSAL OF FLASH-MEMORY AT LOW INTENSIVE IRRADIATION … 61

Abstract: The result of determining the probability of radiation-stimulated failure of flash-memory of the microcontroller in the conditions of the ISS is presented. The chosen model describes the combined effect of ionizing radiation, electric mode and temperature.

Keywords: flash-memory, ionizing radiation, electric mode, temperature.

 

 

Подлепецкий Б. И., Бакеренков А. С., Сухорослова Ю. В.

МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МДП-ТРАНЗИСТОРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ … 64

Аннотация: Предложена усовершенствованная методика оценки параметров моделей МДП-транзисторов для прогнозирования радиационной чувствительности датчиков на их основе. Методика позволяет разделить вклады зарядов в диэлектрике и поверхностных состояний с учетов влияния режимов облучения на характеристики транзисторов.

Ключевые слова: МДП-транзистор, ионизирующее излучение, дозовые эффекты, модели.

 

Podlepetsky B. I., Bakerenkov A. S., Sukhoroslova Yu. V.

RADIATION SENSITIVITY MODELING TECHNIQUE OF SENSOR MIS-TRANSISTOR ELEMENTS … 64

Abstract: New technique of estimating the parameters of MIS transistors models to predict the radiation sensitivity of the sensor characteristics thereof. The method allows to determine the contributions of charges in the insulator and the surface states taking into account the effect of irradiation parameters on the transistor characteristics.

Keywords: MIS transistor, ionizing radiation, radiation effects, models.

 

 

Фелицын В. А., Бакеренков А. С., Родин А. С., Першенков В. С., Мирошниченко А. Г.

ИССЛЕДОВАНИЕ СКОРОСТИ РАДИАЦИОННОЙ ДЕГРАДАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ И SIGE БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ … 70

Аннотация: Произведено сравнение скорости радиационной деградации стандартных кремниевых и гетероструктурных биполярных SiGe-транзисторов. Повышенная радиационная стойкость SiGe-приборов связана с наличием тонкого захороненного окисла над обедненной областью эмиттерного перехода.

Ключевые слова: поверхностные состояния, заряд в окисле, радиационная стойкость, гетероструктурные SiGe-транзисторы.

 

Felitsyn V. A., Bakerenkov A. S., Rodin A. S., Pershenkov V. S., Miroshnichenko A. G.

RADIATION DEGRADATION RATE INVESTIGATION OF SILICON AND HETEROJUNCTION SIGE BIPOLAR TRANSISTORS … 70

Abstract: The comparison of radiation degradation rate for conventional silicon and heterojunction bipolar SiGe-transistors was performed for X-ray radiation impact. Enhanced radiation hardness of the SiGe-devices is connected with thin oxide over emitter-base junction depletion region.

Keywords: interface traps, oxide charge, radiation hardness, heterojunction SiGe-transistors.

 

 

Родин А. С., Бакеренков А. С., Фелицын В. А., Першенков В. С., Мирошниченко А. Г.

СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ОТРАЖАТЕЛЕЙ ТОКА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ73

Аннотация: Разработаны схемотехнические решения с целью повышения радиационной стойкости токовых зеркал, широко использующихся в различных типах аналоговых интегральных схем.

Ключевые слова: радиационная стойкость, токовые зеркала, схемотехническое моделирование.

 

Rodin A. S., Bakerenkov A. S., Felitsyn V. A., Pershenkov V. S., Miroshnichenko A. G.

SCHEMATIC TECHNIQUES FOR RADIATION HARDNESS IMPROVEMENT OF CURRENT MIRRORS OF OPERATIONAL AMPLIFIERS … 73

Abstract: The circuitry solutions were developed to improve total dose radiation hardness of conventional current mirrors, which are widely used in different types of analog integrated circuits.

Keywords: radiation hardness, current mirrors, circuit simulation.

 

 

 

 

ИЗМЕРЕНИЯ, КОНТРОЛЬ, АВТОМАТИЗАЦИЯ (журнал в журнале)

 

MEASUREMENT, CONTROL, AUTOMATION (Journal in journal)

 

 

 

Лапшинский В. А.

НА ПУТИ К ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫМ МИКРОСХЕМАМ ПАМЯТИ … 77

Аннотация: Рассмотрены состояние и тенденции развития интеллектуальных микросхем (ИНМС) памяти типа “процессор-в-памяти” или PIM (processor-in-memory) на основе традиционной элементной базы и энергонезависимой памяти. Приведена классификация архитектур PIM-памяти. Отмечено, что технология современных ИНМС позволяет создавать базовые кристаллы PIM-памяти, что дает возможность для их промышленного производства и применения в различных системах.

Ключевые слова: интеллектуальная память, “процессор-в-памяти”, энергонезависимая память, нанохранилища, вычисления “рядом с памятью”, базовые кристаллы PIM-памяти.

 

Lapshisky V. A.

IN THE FAIR WAY TO THE SMART AND INTELLIGENT MEMORY CHIPS … 77

Abstract: The state and characteristic trends in the development of intelligent memory chips as PIM (processor-in-memory) are considered. Element basis for this development is standard SRAM, DRAM and flash memory and emerging non-volatile memory devices. The taxonomy for PIM architecture presented. Noted that the current level of chip integration allows you to create the base crystals of PIM-memory (BC-PIM). The possibility of customization and programming BC-PIM forms the basis for industrial mass production and application of universal BC-PIM in different systems.

Keywords: intelligent memory chip, PIM-memory, nanostores, computing “near data”, data-centric processing, base crystals of PIM.

 

 

КОНФЕРЕНЦИИ, СИМПОЗИУМЫ, СЕМИНАРЫ (ИЮНЬ–ДЕКАБРЬ 2016 г.) 84

 

CONFERENCES, SYMPOSIUMS, SEMINARS (JUNE–DECEMBER 2016) … 84