Датчики и системы, № 4, 2016
Sensors and
Systems, N 4, 2016
С О Д Е Р Ж А Н И Е и А Н Н О Т А Ц И И
C O N T E N T S
AND A B S T R A C T S
ПРЕДСТАВЛЯЕТ КАФЕДРА МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ НИЯУ МИФИ
DEPARTMENT OF MICRO-
AND NANOELECTRONICS OF MEPHI
PRESENTS
Бочаров Ю. И., Бутузов В. А., Симаков А. Б.
КОМПЛЕКТ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ДЛЯ СБОРА ДАННЫХ С МАТРИЦ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ … 4
Аннотация:
Представлен комплект микросхем для съема, предварительной аналоговой обработки
и аналого-цифрового преобразования сигналов кремниевых фотоэлектронных
умножителей, содержащий две специализированные интегральные микросхемы,
изготовленные по КМОП-технологии с проектной нормой
0,35 мкм. Обе микросхемы программируются через последовательный интерфейс.
Число каналов аналогового головного модуля и типы входных каскадов зависят от
назначения микросхемы. Тестовая версия микросхемы имеет по три канала с токовым
входом и с входом по напряжению. Аналого-цифровая микросхема имеет 9 основных
каналов, содержащих по одному аналого-цифровому преобразователю в каждом
канале, и один вспомогательный канал. Микросхема отличается низкой потребляемой
мощностью, которая не превосходит 0,5 мВт на канал при частоте выборки 100 кГц.
Ключевые
слова: кремниевый
фотоэлектронный умножитель, специализированная интегральная микросхема, КМОП-технология, аналоговый головной модуль,
аналого-цифровой преобразователь.
Bocharov Yu.
A CHIPSET FOR READOUT AND ANALOG TO DIGITAL
CONVERSION OF SIGNALS OF SILICON PHOTOMULTIPLIER ARRAYS … 4
Abstract: A chipset is presented, which is
intended for readout, analog preprocessing and analog to digital conversion of silicon
photomultiplier arrays' signals. It includes two special purpose integrated
circuits implemented in 0.35 mm CMOS
technology. The number of channels of the analog front-end chip as well as the
types of their input stages depends on the application. The test version of the
chip contains 3 current-input channels and 3 voltage-input channels. Each of
the channels includes a programmable pre-amplifier, integrator with
baseline-holder, code-controlled amplifier, amplitude discriminator, two
programmable timers, low pass filter, peak detector, and output buffer with
baseline tuning circuitry. The mixed-signal chip has 9 main channels and one
auxiliary channel, containing 10-bit analog-to-digital converter (ADC) in each
channel. It has also a buffer memory and a voltage reference. The chip features
low power consumption (less than 0.5 mW per channel
at the sampling frequency of 100 kHz). Both devices use a serial interface for
programming their configuration and parameters.
Keywords: silicon
photomultiplier, special purpose integrated circuit, CMOS
technology, analog front-end, analog-to-digital converter.
Симаков А. Б., Онищенко Е. М., Журавлев Б. В., Водохлебов И. Н., Гурковский Б. В., Трифонова Н. Ю.
АППАРАТНО-ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ИНДИВИДУАЛЬНОГО ВЛИЯНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ НА КАРДИОРИТМИКУ ЧЕЛОВЕКА … 9
Аннотация:
Предложена методика экспериментальной оценки индивидуального влияния
СВЧ-излучения GSM-диапазона на вариабельность сердечного ритма человека.
Приведены структурная схема исследовательского аппаратно-программного
комплекса, основные характеристики и конструктивные особенности его отдельных
узлов, а также результаты физиологических исследований.
Ключевые
слова: электромагнитные поля, СВЧ-дозиметрия,
сердечнососудистая система, вариабельность кардиоритма,
удельный коэффициент поглощения.
Simakov A. B., Onishhenko E. M., Zhuravlev B. V., Vodokhlebov I. N., Gurkovskiy B. V., Trifonova N. Yu.
HARD-SOFTWARE COMPLEX FOR RESEARCH OF MICROWAVE
INDIVIDUAL AFFECT ON HUMAN HEART RATE VARIABILITY … 9
Abstract: The method of experimental
evaluation of the GSM microwave individual affect on
human heart rate variability was suggested. The block-diagram of research
instrumental complex, the main characteristics, design features of its separate
units and results of physiological experiments were presented.
Keywords: electromagnetic fields, microwave dosimetry,
cardiovascular system, heart rate variability, specific absorption rate.
Шунков В. Е., Кусь О. Н., Прокопьев В. Ю., Бутузов В. А., Бочаров Ю. И., Шунков В. Е.
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ МНОГОФАЗНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫХ КОНДЕНСАТОРАХ … 15
Аннотация:
Рассмотрено проектирование интегральной микросхемы многофазного преобразователя
постоянного напряжения на переключаемых конденсаторах. Приведен анализ методов
регулирования выходного напряжения в многофазной импульсной схеме, направленных
на снижение выходного шума в широком диапазоне напряжений и токов. Представлены
результаты экспериментального исследования тестовых образцов преобразователя.
Ключевые
слова: интегральная
микросхема, ИМС, преобразователь постоянного напряжения, схема на переключаемых
конденсаторах, КМОП-технология.
Shunkov V. E., Kus O. N., Prokop'ev V. Yu., Butuzov V. A., Bocharov Yu. I., Shunkov V. E.
SWITCH CAPACITOR BASED MULTIPHASE DC/DC
CONVERTER … 15
Abstract: The design of integrated circuit
(IC) of multiphase switched-capacitor DC/DC converter is presented. We provide
the results of analysis of the output voltage control techniques in a multiphase
pulsed circuit, which is aimed at a reducing of the output noise over a wide
range of voltages and currents. Experimental results on test samples evaluation
are also presented.
Keywords: integrated
circuit, IC, DC/DC converter, switched capacitor circuit, CMOS
technology.
Шагурин И. И., Жихарев Г. Ю.
ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЕ КРИПТОБЛОКИ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В СОСТАВЕ "СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ" … 21
Аннотация:
Рассмотрены возможности повышения производительности криптоблоков,
выполняющих алгоритмы хеширования. Показано, что
применение предлагаемой макроконвейерной архитектуры
позволяет обеспечить для этих криптоблоков пропускную
способность 10¼100
Гбит/c при допустимом
уровне требуемых аппаратных ресурсов.
Ключевые
слова: криптоалгоритм,
криптоблок, хеш-функция, исполнительный конвейер, макроконвейерная архитектура, пропускная способность.
HIGH-PERFORMANCE CRYPTOBLOCKS
FOR USING IN “SYSTEMS ON CHIP” … 21
Abstract: The possibilities of the increasing of hash-computing cryptoblocks performance are
discussed. It is shown that using of
proposed macro-pipelined architecture allows the cryptoblocks
to ensure the throughput 10…100 Gbit/s with
acceptable level of required hardware resources.
Keywords: cryptoalgorithm, cryptoblock, hash function, executing
pipeline, macro-pipelined architecture, throughput.
Веселов Д. С., Воронов Ю. А.
ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЭМС-СТРУКТУР … 26
Аннотация:
Проведено исследование процессов глубокого анизотропного травления кремния в
различных растворах органических щелочей. Предложена альтернатива формированию
толстых маскирующих слоев для сохранения ориентированности жидкостного
травления. Выработаны рекомендации по применению растворов для получения
требуемого рельефа в кремниевых подложках в процессе изготовления МЭМС-структур. Представлены технологические решения,
направленные на стабилизацию концентрации растворов травителей
и их температуры в процессе длительного анизотропного травления кремния.
Ключевые
слова: МЭМС-структуры,
анизотропное травление кремния, органические щелочи, стабилизация концентрации
и температуры травителей.
Veselov D. S., Voronov Yu. A.
FEATURES OF SILICON WET ETCHING FOR MEMS STRUCTURES MANUFACTURING TECHNOLOGY … 26
Abstract: The study of deep anisotropic
silicon etching in a variety of solutions of organic alkalis is done. It offers
an alternative form of thick masking layers to preserve orientation wet
etching. Recommendations are presented on the use of solutions to obtain the
desired relief in the silicon substrates during the manufacture of MEMS structures. Technological solutions, aimed stabilizing
etchant concentration and temperature of solution
during prolonged anisotropic etching of silicon are presented.
Keywords: MEMS
structures, anisotropic etching of silicon, organic alkali, stabilization of
concentration and etchant temperature.
Веселов Д. С., Воронов Ю. А.
ТЕПЛОИЗОЛИРУЮЩИЕ СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МЕМБРАННЫХ КОНСТРУКЦИЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗОВ … 29
Аннотация:
Проведено изучение теплоизолирующих свойств диэлектрических мембранных
конструкций для чувствительных элементов датчиков концентрации газа. Получены
двумерные модели распределения температуры на мембранах из различных
диэлектрических материалов. Проведена оценка полученных результатов и
выработаны рекомендации по выбору материала теплоизолирующих мембранных
конструкций для чувствительных элементов датчиков концентрации газа.
Ключевые
слова: диэлектрическая
пленка, диэлектрическая мембрана, чувствительный элемент, чувствительный слой,
датчик концентрации газа.
Veselov D. S., Voronov Yu. A.
HEAT-INSULATING PROPERTIES OF DIELECTRIC
MEMBRANE STRUCTURES FOR GAS SENSORS SENSITIVE ELEMENTS … 29
Abstract: The heat-insulating properties of
dielectric membranes for gas sensors sensitive elements were studied.
Two-dimensional temperature distributions on membranes from different
dielectric materials in different moments of the cycle of heating and cooling
were obtained. Was carried out the estimation of study results and the
recommendations on the choosing of heat-insulating material was gave.
Keywords: dielectric
film, dielectric membrane, sensitive element, sensitive layer, gas sensor.
Самотаев Н. Н.
МИКРОМОЩНЫЕ НАГРЕВАТЕЛИ ДЛЯ ТЕРМОКОНДУКТОМЕТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ … 33
Аннотация:
Представлена новая гибкая технология изготовления микронагревателей
для датчиков теплопроводности газовых сред.
Ключевые
слова: нагревательный
элемент, селективное лазерное спекание.
Samotaev N. N.
MICROHOTPLATE FOR THERMAL CONDUCTIVITY SENSOR … 33
Abstract: The new flexible technology for fabrication microhoteplates
for gas thermal conductivity sensors are presented.
Keywords: microhotplate, selective laser sintering.
Самотаев Н. Н., Облов К. Ю., Иванова А. В., Васильев А. А., Соколов А. В., Ким
В. П., Ткачев С. В., Губин С. П., Потапов Г. Н., Кохтина Ю. В., Низан А. В.
ЭКОНОМИЧНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ НА КЕРАМИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ДЛЯ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ … 36
Аннотация:
Представлен подход, при котором объединяются преимущества керамической МЭМС-технологии и преимущества недорогих технологий для
изготовления элементов газочувствительных датчиков.
Разработаны проводящие наночастицы серебра, золота и платины размером от 10 до
30 нм, применяемые в струйных и аэрозольных принтерах и позволяющие изготовить
проводящие линии нагревательных элементов и электродов датчика. Комбинация
струйной печати на керамическую пленку и лазерной резки позволяют изготовить недорогие
датчики, работающие в режиме импульсного нагрева.
Ключевые
слова: МЭМС-технология,
газочувствительные датчики, проводящие наночастицы,
струйная печать, аэрозольная печать.
Samotaev N. N., Oblov K. Yu., Ivanova A. V., Vasiliev A. A., Sokolov A. V., Kim V. P., Tkachev
S. V., Gubin S. P., Potapov
G. N., Kokhtina Yu. V., Nisan A. V.
EFFICIENT TECHNOLOGY FOR THE METAL LAYERS
FORMATION ON CERAMIC FILMS FOR GAS-SENSING SENSORS … 36
Abstract: In this paper we suggest the
approach that combines the advantages of ceramic MEMS
technology and the advantages of low-cost technologies for the manufacture of
gas-sensitive sensor elements. Conductive silver, gold and platinum nanoparticles containing inks with particle size from 10 to
30 nm were developed and used in inkjet and aerosol printers, and enable to
produce conducting lines of the heating elements and the sensor electrodes. The
combination of inkjet printing on a ceramic film and laser cutting allow making
inexpensive sensors operating in the pulsed heating mode.
Keywords: MEMS, gas
sensors, conducting nanoparticles, inkjet printing, aerosol jet printing.
Шалтаева Ю. Р., Макарова Н. В., Першенков В. С., Беляков В. В., Головин А. В., Липатов Д. Ю.
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ОХРАННОГО ВОЗДУШНОГО ПОТОКА В СПЕКТРОМЕТРЕ ИОННОЙ ПОДВИЖНОСТИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ КАЧЕСТВА ИЗМЕРЕНИЙ … 40
Аннотация:
Рассмотрена проблема адсорбции молекул газовой пробы на поверхностях ионного
источника и дрейфовой камеры в детекторе сверхмалых концентраций взрывчатых и
наркотических веществ. Предложено использовать охранный
воздушный поток, предотвращающий соприкосновение исследуемого вещества
со стенками камеры. Приведены результаты моделирования газовых потоков и
экспериментальной апробации системы для формирования охранного потока газов.
Ключевые
слова: спектрометрия ионной
подвижности, камера ионного источника, моделирование газовых потоков, охранный воздушный поток, датчики.
Shaltaeva Yu. R., Makarova
N. V., Pershenkov V. S., Belyakov
V. V., Golovin A. V., Lipatov
D. Y.
THE PROTECTIVE GAS FLOW FOR MEASUREMENTS
IMPROVEMENT IN ION MOBILITY SPECTROMETRY … 40
Abstract: The investigation deals with
sample adsorption on the walls of the ion drift chamber and the chamber of the
ion source in ion mobility spectrometer. The solution for preventing contact of
the substance with the chamber walls by security airflow is also recommended.
The study includes gas flow simulation and experiments of protective gas flow
setup.
Keywords: ion
mobility spectrometry, ion source chamber, modeling of gas flows, protection of
airflow, sensors.
Липатов Д. Ю., Родионов А. А., Шалтаева Ю.
Р., Беляков В. В., Головин А. В., Малкин Е. К.,
Васильев В. К., Иванов
И. А.
СОРБЦИОННЫЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ ВХОДНОГО КАНАЛА СПЕКТРОМЕТРА ИОННОЙ ПОДВИЖНОСТИ … 45
Аннотация:
В
аналитическом высокочувствительном оборудовании существует проблема
эффективного переноса пробы без потери части анализируемого вещества. Эта
проблема актуальна при обнаружении малых концентраций взрывчатых и
наркотических веществ методом спектрометрии ионной
подвижности. Потери пробы при адсорбции на поверхности газовых каналов и
диффузии через стенки проницаемых газовых каналов при пороге
чувствительности порядка 10–14 г/см3
сравнимы с размером самой пробы. В данной работе исследуется сорбция тринитротолуола
в различных материалах трубок.
Ключевые слова: спектрометрия ионной подвижности, адсорбция на
поверхности, газовый входной канал, материалы, тефлон,
кварцевое стекло, силанизация стекла, загрязнение,
моделирование.
Lipatov D. Yu., Rodionov A. A., Shaltaeva Yu. R., Belyakov
V. V., Golovin A. V., Malkin
E. K., Vasilyev V. K., Ivanov
I. A.
THE INLET CHANNEL MATERIALSSORBTION PROPERTIES IN ION MOBILITY
SPECTROMETRY … 45
Abstract: The effective transfer of sample
is a problem relevant to modern analytical equipment. This problem in detection
of explosives and narcotics trace concentrations by Ion Mobility Spectrometry
is discussed. The sample losses on inlet channel surface and diffusion through
penetrable gas channels are comparable with the quantity of sample itself at
the sensitivity level of 10–14 g/cm3. The
trinitrotoluene sorption in different channel materials is studied.
Keywords: ion mobility spectrometry adsorption on the surface, gas inlet
channel, teflon, quartz
glass, glass silanization, contamination, the
modeling.
Шуренков В. В.
ДЕЙСТВИЕ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ … 50
Аннотация:
Проанализированы эффекты воздействия СВЧ-излучения на полупроводниковые диоды,
которые являются элементами электронных приборов и микросистем. Обсуждается
механизм воздействия СВЧ-излучения на рекомбинацию носителей тока в слое
объемного заряда p-n-переходов.
Ключевые
слова: электромагнитное СВЧ-излучение, рекомбинация, p-n-переход.
Shurenkov V. V.
MICROWAVE ELECTROMAGNETIC RADIATION EFFECTS ON SEMICONDUCTOR
DIODES … 50
Abstract: The high frequency electromagnetic
radiation effects on semiconductor devices and the recombination processes in
semiconductor p-n junction under HF radiation are
discussed.
Keywords: electromagnetic
radiation effects, recombination of charge carriages, p-n junction.
Барбашов В. М., Подлепецкий Б. И., Трушкин Н. С.
МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ НАДЕЖНОСТИ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ НА ФУНКЦИОНАЛЬНО-ЛОГИЧЕСКОМ УРОВНЕ … 54
Аннотация:
Рассмотрены методы функционально-логического моделирования цифровых
интегральных микросхем (ЦИМС) при воздействии
радиации. Показано, что как по
функциональным, так и электрическим параметрам в ряде случаев характерны детерминированные и
недетерминированные нарушения работоспособности ЦИМС.
Ключевые
слова: критериальная
функция принадлежности, автомат Брауэра, вероятностные
модели.
Barbashov V. M., Podlepetsky
B. I., Trushkin N. S.
RADIATION RELIABILITY ASSESSMENT OF DIGITAL
INTEGRATED CIRCUITS BY THE FUNCTIONAL-LOGIC LEVEL SIMULATION … 54
Abstract: The functional-logic modeling the reliability parameters of the digital integrated circuits (DLSI) under ionizing radiation are presented in this paper. In is shown that both functional
and electric parameters there are deterministic and nondeterministic malfunction
of DLSI
circuits.
Keywords: criteria-based
membership function, automatic Brauer, probabilistic
models.
Елушов И. В., Зебрев Г. И., Лебедев А. А.
МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ БИПОЛЯРНЫХ ИМС С УЧЕТОМ ИЗМЕНЧИВОСТИ УСЛОВИЙ КОСМИЧЕСКОГО ОКРУЖЕНИЯ … 58
Аннотация:
Рассмотрен метод прогнозирования радиационного поведения
параметров биполярных интегральных схем как функционал от их радиационной,
электрической и тепловой предистории на борту
космических аппаратов в условиях изменчивого радиационного окружения на орбите.
Ключевые
слова: мощность дозы,
термический отжиг, солнечная активность, низкая интенсивность.
BIPOLAR IC RADIATION RESPONSEMODELLING
UNDER COSMIC ENVIRONMENT VARIABILITY … 58
Abstract: Modelling approach of space radiation variability impact on total dose
sensitivity is presented. Radiation response dependence on convolution
of the previous dose-rate, thermal and electric prehistory of the exposed spacecraft
electronic part is shown.
Keywords: dose rate,
thermal anneal, solar variability, ELDRS.
Орешков П. Н., Попов В. Д.
ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВЕРОЯТНОСТИ ОТКАЗА FLASH-ПАМЯТИ ПРИ НИЗКОИНТЕНСИВНОМ ОБЛУЧЕНИИ … 61
Аннотация:
Приведен результат определения вероятности радиационно-стимулированного отказа flash-памяти микроконтроллера
в условиях орбиты МКС. Выбрана модель, описывающая совместное воздействие ионизирующего излучения, электрического режима и
температуры.
Ключевые
слова: flash-память, ионизирующее излучение,
электрический режим, температура.
Oreshkov P. N., Popov
V. D.
FORECASTING OF PROBABILITY OF REFUSAL OF
FLASH-MEMORY AT LOW INTENSIVE IRRADIATION … 61
Abstract: The result of determining the probability of radiation-stimulated failure of flash-memory of
the microcontroller in the conditions of the ISS is presented. The chosen model describes the combined effect of ionizing
radiation, electric mode and temperature.
Keywords: flash-memory,
ionizing radiation, electric mode, temperature.
Подлепецкий Б. И., Бакеренков А. С., Сухорослова
Ю. В.
МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МДП-ТРАНЗИСТОРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ … 64
Аннотация:
Предложена усовершенствованная методика оценки параметров моделей МДП-транзисторов для прогнозирования радиационной
чувствительности датчиков на их основе. Методика позволяет разделить вклады
зарядов в диэлектрике и поверхностных состояний с учетов влияния режимов
облучения на характеристики транзисторов.
Ключевые
слова: МДП-транзистор, ионизирующее излучение, дозовые эффекты,
модели.
Podlepetsky B. I., Bakerenkov
A. S., Sukhoroslova Yu. V.
RADIATION SENSITIVITY MODELING TECHNIQUE OF
SENSOR MIS-TRANSISTOR ELEMENTS … 64
Abstract: New technique of estimating the
parameters of MIS transistors models to predict the radiation sensitivity of
the sensor characteristics thereof. The method allows to
determine the contributions of charges in the insulator and the surface
states taking into account the effect of irradiation parameters on the
transistor characteristics.
Keywords: MIS transistor, ionizing radiation, radiation effects, models.
Фелицын В. А., Бакеренков А. С., Родин А. С., Першенков В. С., Мирошниченко А. Г.
ИССЛЕДОВАНИЕ СКОРОСТИ РАДИАЦИОННОЙ ДЕГРАДАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ И SIGE БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ … 70
Аннотация:
Произведено сравнение скорости радиационной деградации стандартных
кремниевых и гетероструктурных биполярных SiGe-транзисторов.
Повышенная радиационная стойкость SiGe-приборов связана с наличием тонкого
захороненного окисла над обедненной областью эмиттерного
перехода.
Ключевые
слова: поверхностные
состояния, заряд в окисле, радиационная стойкость, гетероструктурные
SiGe-транзисторы.
Felitsyn V. A., Bakerenkov
A. S., Rodin A. S., Pershenkov V. S., Miroshnichenko
A. G.
RADIATION DEGRADATION RATE INVESTIGATION OF
SILICON AND HETEROJUNCTION SIGE
BIPOLAR TRANSISTORS … 70
Abstract: The comparison of radiation
degradation rate for conventional silicon and heterojunction
bipolar SiGe-transistors was performed for X-ray
radiation impact. Enhanced radiation hardness of the SiGe-devices
is connected with thin oxide over emitter-base junction depletion region.
Keywords: interface
traps, oxide charge, radiation hardness, heterojunction
SiGe-transistors.
Родин А. С., Бакеренков А. С., Фелицын В. А., Першенков В. С.,
Мирошниченко А. Г.
СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ОТРАЖАТЕЛЕЙ ТОКА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ … 73
Аннотация:
Разработаны схемотехнические решения с целью повышения радиационной стойкости
токовых зеркал, широко использующихся в различных типах аналоговых интегральных
схем.
Ключевые
слова: радиационная
стойкость, токовые зеркала, схемотехническое
моделирование.
Rodin A. S., Bakerenkov
A. S., Felitsyn V. A., Pershenkov
V. S., Miroshnichenko
A. G.
SCHEMATIC TECHNIQUES FOR RADIATION HARDNESS
IMPROVEMENT OF CURRENT MIRRORS OF OPERATIONAL AMPLIFIERS … 73
Abstract: The circuitry solutions were
developed to improve total dose radiation hardness of conventional current
mirrors, which are widely used in different types of analog integrated
circuits.
Keywords: radiation hardness,
current mirrors, circuit
simulation.
ИЗМЕРЕНИЯ, КОНТРОЛЬ, АВТОМАТИЗАЦИЯ (журнал
в журнале)
MEASUREMENT, CONTROL,
AUTOMATION (Journal in journal)
Лапшинский В. А.
НА ПУТИ К ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫМ МИКРОСХЕМАМ ПАМЯТИ … 77
Аннотация:
Рассмотрены состояние и тенденции развития интеллектуальных микросхем (ИНМС) памяти типа “процессор-в-памяти”
или PIM (processor-in-memory) на основе традиционной элементной базы и энергонезависимой
памяти. Приведена классификация архитектур PIM-памяти. Отмечено, что технология
современных ИНМС позволяет создавать базовые
кристаллы PIM-памяти,
что дает возможность для их промышленного производства и применения в различных
системах.
Ключевые слова: интеллектуальная память, “процессор-в-памяти”, энергонезависимая память, нанохранилища, вычисления “рядом с памятью”, базовые кристаллы PIM-памяти.
Lapshisky V. A.
IN THE
Abstract: The state and characteristic
trends in the development of intelligent memory chips as PIM
(processor-in-memory) are considered. Element basis for this development is
standard SRAM, DRAM and flash memory and emerging non-volatile memory devices.
The taxonomy for PIM architecture presented. Noted that the current level of
chip integration allows you to create the base crystals of PIM-memory (BC-PIM).
The possibility of customization and programming BC-PIM forms the basis for
industrial mass production and application of universal BC-PIM in different
systems.
Keywords: intelligent
memory chip, PIM-memory, nanostores, computing “near
data”, data-centric processing, base crystals of PIM.
КОНФЕРЕНЦИИ, СИМПОЗИУМЫ, СЕМИНАРЫ (ИЮНЬ–ДЕКАБРЬ 2016 г.) … 84
CONFERENCES, SYMPOSIUMS, SEMINARS (JUNE–DECEMBER
2016) … 84